袁铮
,
桑文斌
,
钱永彪
,
刘洪涛
,
闵嘉华
,
滕建勇
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00195
通过在富Te环境下生长In掺杂CdZnTe晶体, 实验研究了不同掺In量对晶体电学性能的影响, 重点讨论了不同掺In量与晶体电阻率、载流子浓度及迁移率之间的关系. 并对CdZnTe晶体中In掺杂的补偿机理进行了分析探讨. 结果表明, 当In掺杂量为5×1017cm-3时, 得到了电阻率达1.89×1010Ω· cm的高阻CdZnTe晶体.
关键词:
探测器
,
CdZnTe
,
In doping
,
electrical properties